DMN2008LFU-7 - MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

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MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
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Spécifications pour DMN2008LFU-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMN2008LFU-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 14.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.4 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250A
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 42.3nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1418pF @ 10V
Puissance - Max : 1W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-UFDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : U-DFN2030-6 (Type B)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMN2 , DMN200

Documents pour DMN2008LFU-7

Feuilles de données : DMN2008LFU-7.pdf

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