NTNS3A65PZT5G - MOSFET P-CH 20V 0.281A SOT883
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MOSFET P-CH 20V 0.281A SOT883
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NTNS3A65PZT5G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NTNS3A65PZT5G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET P-CH 20V 0.281A SOT883
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 281mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.1nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 44pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 155mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Paquet / caisse : SC-101, SOT-883
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NTNS3A65PZT5G
Feuilles de données : NTNS3A65PZT5G.pdf
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