APTM120A65FT1G - MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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Spécifications pour APTM120A65FT1G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
APTM120A65FT1G
Fabricant :
Microsemi Corporation
La description :
MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET :
Standard
Drain à la tension source (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
780 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
300nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
7736pF @ 25V
Puissance - Max :
390W
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Chassis Mount
Paquet / caisse :
SP1
Package d'appareils du fournisseur :
SP1
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour APTM120A65FT1G
Feuilles de données :
APTM120A65FT1G.pdf
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