IXTY1R4N120PHV - MOSFET N-CH
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Brève description
MOSFET N-CH
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IXTY1R4N120PHV
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXTY1R4N120PHV
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH
Séries : Polar™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 24.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 666pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 86W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-252
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IXTY1R4N120PHV
Feuilles de données : IXTY1R4N120PHV.pdf
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