IXTA76P10T - MOSFET P-CH 100V 76A TO-263

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MOSFET P-CH 100V 76A TO-263
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Spécifications pour IXTA76P10T

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXTA76P10T
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET P-CH 100V 76A TO-263
Séries : TrenchP™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 76A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 197nC @ 10V
Vgs (Max) : ±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 13700pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 298W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-263 (IXTA)
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IXT , IXTA7

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