FQPF33N10 - MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F

Référence fabricant

FQPF33N10

Numéro de pièce interne

AX-FQPF33N10

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour FQPF33N10

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FQPF33N10

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F

Séries : QFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 18A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 41W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220F

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FQP , FQPF

Documents pour FQPF33N10

Feuilles de données : FQPF33N10.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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