TPH3207WS - GANFET N-CH 650V 50A TO247
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-TPH3207WS
Fabricant
Brève description
GANFET N-CH 650V 50A TO247
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TPH3207WS
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TPH3207WS
Fabricant : Transphorm
La description : GANFET N-CH 650V 50A TO247
Séries : -
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : N-Channel
La technologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) : 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 32A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.65V @ 700µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 8V
Vgs (Max) : ±18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2197pF @ 400V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 178W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-247-3
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour TPH3207WS
Feuilles de données : TPH3207WS.pdf
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