TPH3207WS - GANFET N-CH 650V 50A TO247
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-TPH3207WS
Fabricant
Brève description
GANFET N-CH 650V 50A TO247
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
21736 Pieces
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Spécifications pour TPH3207WS
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
TPH3207WS
Fabricant :
Transphorm
La description :
GANFET N-CH 650V 50A TO247
Séries :
-
Statut de la pièce :
Not For New Designs
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) :
650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
41 mOhm @ 32A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.65V @ 700µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 8V
Vgs (Max) :
±18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
2197pF @ 400V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
178W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-247-3
Paquet / caisse :
TO-247-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour TPH3207WS
Feuilles de données :
TPH3207WS.pdf
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