DMT6002LPS-13 - MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

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MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060
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Spécifications pour DMT6002LPS-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMT6002LPS-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 130.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6555pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.3W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerDI5060-8
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMT6 , DMT600

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Feuilles de données : DMT6002LPS-13.pdf

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