IRFH5106TR2PBF - MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN

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MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
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Spécifications pour IRFH5106TR2PBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRFH5106TR2PBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 21A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 75nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3090pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.6W (Ta), 114W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-PQFN (5x6)
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IRFH , IRFH510

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Feuilles de données : IRFH5106TR2PBF.pdf

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