NSBA113EDXV6T1G - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
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Fabricant
Brève description
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NSBA113EDXV6T1G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
NSBA113EDXV6T1G
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de transistor :
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) :
100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) :
50V
Résistance - Base (R1) :
1 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) :
1 kOhms
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
3 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
250mV @ 5mA, 10mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) :
500nA
Fréquence - Transition :
-
Puissance - Max :
250mW
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur :
SC-88/SC70-6/SOT-363
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour NSBA113EDXV6T1G
Feuilles de données :
NSBA113EDXV6T1G.pdf
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