NSBA113EDXV6T1G - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

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TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
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Spécifications pour NSBA113EDXV6T1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NSBA113EDXV6T1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de transistor : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 50V
Résistance - Base (R1) : 1 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) : 1 kOhms
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 3 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 5mA, 10mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 500nA
Fréquence - Transition : -
Puissance - Max : 250mW
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur : SC-88/SC70-6/SOT-363
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : NSBA1 , NSBA113

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Feuilles de données : NSBA113EDXV6T1G.pdf

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