SSM6N35FE,LM - MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-SSM6N35FE,LM
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SSM6N35FE,LM
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SSM6N35FE,LM
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 180mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 9.5pF @ 3V
Puissance - Max : 150mW
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur : ES6 (1.6x1.6)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SSM6N35FE,LM
Feuilles de données : SSM6N35FE,LM.pdf
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