GWS4621L - MOSFET 2N-CH

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET 2N-CH
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour GWS4621L

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : GWS4621L
Fabricant : Renesas Electronics America Inc.
La description : MOSFET 2N-CH
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.8 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1125pF @ 10V
Puissance - Max : 3.6W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 4-XFLGA, CSP
Package d'appareils du fournisseur : 4-WLCSP (1.82x1.82)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : GW , GWS4

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Feuilles de données : GWS4621L.pdf

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