NXPSC04650XQ - DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220F

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220F
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NXPSC04650XQ

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NXPSC04650XQ
Fabricant : WeEn Semiconductors
La description : DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220F
Séries : -
Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key
Type de diode : Silicon Carbide Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 650V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 4A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.7V @ 4A
La vitesse : No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 170µA @ 650V
Capacité @ Vr, F : 130pF @ 1V, 1MHz
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Package d'appareils du fournisseur : TO-220F
Température de fonctionnement - Jonction : 175°C (Max)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : NXPS , NXPSC0

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Feuilles de données : NXPSC04650XQ.pdf

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