SIDC23D120H8X1SA1 - DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
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DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SIDC23D120H8X1SA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SIDC23D120H8X1SA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 35A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.97V @ 35A
La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : -
Courant - Fuite inverse @ Vr : 27µA @ 1200V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : Die
Package d'appareils du fournisseur : Sawn on foil
Température de fonctionnement - Jonction : -40°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SIDC23D120H8X1SA1
Feuilles de données : SIDC23D120H8X1SA1.pdf
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