TK160F10N1L,LQ - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TK160F10N1L,LQ
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
TK160F10N1L,LQ
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Séries :
U-MOSVIII-H
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
160A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
122nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
10100pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
375W (Tc)
Température de fonctionnement :
175°C
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
TO-220SM(W)
Paquet / caisse :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour TK160F10N1L,LQ
Feuilles de données :
TK160F10N1L,LQ.pdf
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CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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