TSM4NB60CI C0G - MOSFET N-CHANNEL 600V 4A ITO220
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MOSFET N-CHANNEL 600V 4A ITO220
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TSM4NB60CI C0G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TSM4NB60CI C0G
Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation
La description : MOSFET N-CHANNEL 600V 4A ITO220
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 14.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 500pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 50W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : ITO-220AB
Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour TSM4NB60CI C0G
Feuilles de données : TSM4NB60CI C0G.pdf
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