SISS06DN-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212

Référence fabricant

SISS06DN-T1-GE3

Numéro de pièce interne

AX-SISS06DN-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

864010 Pieces

Prix de référence

~~USD 0.32472~~

Notre prix

- (Veuillez nous contacter pour un meilleur prix: [email protected])

AX Semiconductor a SISS06DN-T1-GE3 en stock à vendre. Nous pouvons vous expédier dans les 1-2 jours. Veuillez nous contacter pour un meilleur prix pour SISS06DN-T1-GE3. Notre email: [email protected]

Options et délais de livraison:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Options de paiement:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Spécifications pour SISS06DN-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SISS06DN-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212

Séries : TrenchFET® Gen IV

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 47.6A (Ta), 172.6A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.38 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 77nC @ 10V

Vgs (Max) : +20V, -16V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3660pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 5W (Ta), 65.7W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® 1212-8S

Paquet / caisse : PowerPAK® 1212-8S

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SISS0 , SISS06D

Documents pour SISS06DN-T1-GE3

Feuilles de données : SISS06DN-T1-GE3.pdf

Produits associés pour SISS06DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Numéro d'article	Marque	La description
VJ0603Q3R3CEAAO	Vishay Vitramon	CAP CER 3.3PF 50V C0G/NP0 0603.
WF165335WL10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 16KV SCREW.
GRM1555C1E8R1CZ01D	Murata Electronics North America	CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402.
WF125405WJ10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
WF135272WL60236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.
WI140266WJ10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
WF135373BQ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 25KV SCREW.
PZ0140WL10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
WF135265BH88236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8800PF 10KV SCREW.
CDR01BX102BKZSAT	Vishay Vitramon	CAP CER 1000PF 100V 10 BX 0805.
04026W105KAT2A	AVX Corporation	CAP CER 1UF 6.3V X6S 0402. Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16V 2.2uF 0805 5% X7R
MC04YC223KAA	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 16V X7R AXIAL.
WX095162WJ25236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2500PF 14KV SCREW.
WF110250WJ50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
C0805C154KMREC	KEMET	CAP CER 0805 150NF 63V X7R 10.
WI106266WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
CDR02BP221BKMSAB	Vishay Vitramon	CAP CER 220PF 100V BP 1805.
WF165278WP60238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV SCREW.
WF165380WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
PEF220BJ80238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8000PF 15KV R230 DISK.