DMTH4004SCTB-13 - MOSFET BVDSS 31V 40V TO263 TR
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MOSFET BVDSS 31V 40V TO263 TR
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMTH4004SCTB-13
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
DMTH4004SCTB-13
Fabricant :
Diodes Incorporated
La description :
MOSFET BVDSS 31V 40V TO263 TR
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
68.6nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
4305pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
4.7W (Ta), 136W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
TO-263AB
Paquet / caisse :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour DMTH4004SCTB-13
Feuilles de données :
DMTH4004SCTB-13.pdf
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