APTGLQ25H120T1G - POWER MODULE - IGBT
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
POWER MODULE - IGBT
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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19032 Pieces
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Spécifications pour APTGLQ25H120T1G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : APTGLQ25H120T1G
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : POWER MODULE - IGBT
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type IGBT : Trench Field Stop
Configuration : Full Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 50A
Puissance - Max : 165W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.42V @ 15V, 25A
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 50µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce : 1.43nF @ 25V
Contribution : Standard
Thermistance NTC : Yes
Température de fonctionnement : -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : Module
Package d'appareils du fournisseur : SP1
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour APTGLQ25H120T1G
Feuilles de données : APTGLQ25H120T1G.pdf
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