SSM3K2615R,LF - MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
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MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SSM3K2615R,LF
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SSM3K2615R,LF
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Séries : π-MOSV
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 3.3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 150pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1W (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23F
Paquet / caisse : SOT-23-3 Flat Leads
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SSM3K2615R,LF
Feuilles de données : SSM3K2615R,LF.pdf
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