MT47H128M8CF-25E:M - IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
54900 Pieces
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Spécifications pour MT47H128M8CF-25E:M
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
MT47H128M8CF-25E:M
Fabricant :
Micron Technology Inc.
La description :
IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de mémoire :
Volatile
Format de mémoire :
DRAM
La technologie :
SDRAM - DDR2
Taille mémoire :
1Gb (128M x 8)
Fréquence d'horloge :
400MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
15ns
Temps d'accès :
400ps
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
1.7V ~ 1.9V
Température de fonctionnement :
0°C ~ 85°C (TC)
Type de montage :
-
Paquet / caisse :
-
Package d'appareils du fournisseur :
-
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour MT47H128M8CF-25E:M
Feuilles de données :
MT47H128M8CF-25E:M.pdf
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CAP CER 3300PF 100V BX 0805. |
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CAP CER 25PF 30KV. |
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CAP CER 100PF 30KV AXIAL. |
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Vishay Beyschlag |
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CAP CER 10000PF 14KV SCREW. |
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CAP CER 4000PF 20KV SCREW. |
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