NDD60N550U1-1G - MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4
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Brève description
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NDD60N550U1-1G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
NDD60N550U1-1G
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
8.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
550 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
540pF @ 50V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
94W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
IPAK (TO-251)
Paquet / caisse :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour NDD60N550U1-1G
Feuilles de données :
NDD60N550U1-1G.pdf
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