RCJ081N20TL - MOSFET N-CH 200V 8A LPT

Référence fabricant

RCJ081N20TL

Numéro de pièce interne

AX-RCJ081N20TL

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 200V 8A LPT

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour RCJ081N20TL

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RCJ081N20TL

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 200V 8A LPT

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 770 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.25V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 8.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.56W (Ta), 40W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : LPTS (SC-83)

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RCJ , RCJ08

Documents pour RCJ081N20TL

Feuilles de données : RCJ081N20TL.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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