HUFA76629D3ST - MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
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Brève description
MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour HUFA76629D3ST
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : HUFA76629D3ST
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
Séries : UltraFET™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 46nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1285pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 110W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-252AA
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour HUFA76629D3ST
Feuilles de données : HUFA76629D3ST.pdf
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