RFD14N05LSM9A - MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA

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MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
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Spécifications pour RFD14N05LSM9A

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RFD14N05LSM9A
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 50V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 14A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 14A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (Max) : ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 670pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 48W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-252AA
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : RFD1 , RFD14N

Documents pour RFD14N05LSM9A

Feuilles de données : RFD14N05LSM9A.pdf

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