IRF6618TR1PBF - MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
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MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IRF6618TR1PBF
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRF6618TR1PBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30A (Ta), 170A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5640pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DIRECTFET™ MT
Paquet / caisse : DirectFET™ Isometric MT
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IRF6618TR1PBF
Feuilles de données : IRF6618TR1PBF.pdf
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