CUHS20S40,H3F - SCHOTTKY BARRIER DIODE LOW VF
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
SCHOTTKY BARRIER DIODE LOW VF
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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3334095 Pieces
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Spécifications pour CUHS20S40,H3F
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : CUHS20S40,H3F
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : SCHOTTKY BARRIER DIODE LOW VF
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 40V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 2A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 470mV @ 2A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : -
Courant - Fuite inverse @ Vr : 300µA @ 40V
Capacité @ Vr, F : 290pF @ 0V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 2-SMD, Flat Lead
Package d'appareils du fournisseur : US2H
Température de fonctionnement - Jonction : 150°C (Max)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour CUHS20S40,H3F
Feuilles de données : CUHS20S40,H3F.pdf
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