TPC8211(TE12L,Q,M) - MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8

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MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TPC8211(TE12L,Q,M)

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TPC8211(TE12L,Q,M)
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1250pF @ 10V
Puissance - Max : 450mW
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOP (5.5x6.0)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TPC821 , TPC8211(T

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Feuilles de données : TPC8211(TE12L,Q,M).pdf

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