SI5980DU-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET

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MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
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Spécifications pour SI5980DU-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI5980DU-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 567 mOhm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.3nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 78pF @ 50V
Puissance - Max : 7.8W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : PowerPAK® ChipFET™ Dual
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® ChipFet Dual
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SI598 , SI5980D

Documents pour SI5980DU-T1-GE3

Feuilles de données : SI5980DU-T1-GE3.pdf

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