IRF6643TRPBF - MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IRF6643TRPBF
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IRF6643TRPBF
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRF6643TRPBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 150V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6.2A (Ta), 35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34.5 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.9V @ 150µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2340pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DIRECTFET™ MZ
Paquet / caisse : DirectFET™ Isometric MZ
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IRF6643TRPBF
Feuilles de données : IRF6643TRPBF.pdf
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| Numéro d'article | Marque | La description | Acheter |
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