IPD180N10N3GBTMA1 - MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
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MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPD180N10N3GBTMA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPD180N10N3GBTMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 43A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 33µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 71W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO252-3
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IPD180N10N3GBTMA1
Feuilles de données : IPD180N10N3GBTMA1.pdf
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