GP2M004A065PG - MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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21208 Pieces
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Spécifications pour GP2M004A065PG
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
GP2M004A065PG
Fabricant :
Global Power Technologies Group
La description :
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
642pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
98.4W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
I-PAK
Paquet / caisse :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour GP2M004A065PG
Feuilles de données :
GP2M004A065PG.pdf
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