MSE1PJ-M3/89A - DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour MSE1PJ-M3/89A

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MSE1PJ-M3/89A
Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division
La description : DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Séries : eSMP®
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.1V @ 1A
La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 780ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 1µA @ 600V
Capacité @ Vr, F : 5pF @ 4V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : MicroSMP
Package d'appareils du fournisseur : MicroSMP (DO-219AD)
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : MSE1 , MSE1PJ

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Feuilles de données : MSE1PJ-M3/89A.pdf

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