DMN2010UDZ-7 - MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-DMN2010UDZ-7
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMN2010UDZ-7
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMN2010UDZ-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 24V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 33.2nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2665pF @ 10V
Puissance - Max : 700mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-UDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : U-DFN2535-6
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour DMN2010UDZ-7
Feuilles de données : DMN2010UDZ-7.pdf
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