KLUDG8J1ZD-B0CP - UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 85 °C Mass Production
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UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 85 °C Mass Production
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Spécifications pour KLUDG8J1ZD-B0CP
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : KLUDG8J1ZD-B0CP
Fabricant : Samsung Semiconductor
La description : UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 85 °C Mass Production
Séries : DDR3
Version : UFS 2.1
Densité : 128 GB
Tension : 1.8 / 3.3 V
Interface : G3 2Lane
Taille du paquet : 11.5 x 13 x 1.2 mm
Temp. : -40 ~ 85 °C
État du produit : Mass Production
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour KLUDG8J1ZD-B0CP
Feuilles de données : KLUDG8J1ZD-B0CP.pdf
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