FQP13N50C_F105 - IC POWER MANAGEMENT
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Numéro de pièce interne
Fabricant
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IC POWER MANAGEMENT
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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22001 Pieces
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Spécifications pour FQP13N50C_F105
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
FQP13N50C_F105
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
IC POWER MANAGEMENT
Séries :
QFET®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
13A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
480 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
56nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
2055pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
195W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-220AB
Paquet / caisse :
TO-220-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour FQP13N50C_F105
Feuilles de données :
FQP13N50C_F105.pdf
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CAP CER 4000PF 20KV SCREW. |
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