GC10MPS12-252 - SIC DIODE 1200V 10A TO-252-2
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Brève description
SIC DIODE 1200V 10A TO-252-2
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour GC10MPS12-252
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : GC10MPS12-252
Fabricant : GeneSiC Semiconductor
La description : SIC DIODE 1200V 10A TO-252-2
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Silicon Carbide Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 50A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.8V @ 10A
La vitesse : No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 1200V
Capacité @ Vr, F : 660pF @ 1V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareils du fournisseur : TO-252-2
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour GC10MPS12-252
Feuilles de données : GC10MPS12-252.pdf
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