A2G26H281-04SR3 - AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
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AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour A2G26H281-04SR3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : A2G26H281-04SR3
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de transistor : LDMOS
La fréquence : 2.496GHz ~ 2.69GHz
Gain : 14.2dB
Tension - Test : 48V
Note actuelle : -
Figure de bruit : -
Courant - Test : 150mA
Puissance - sortie : 50W
Tension - nominale : 125V
Paquet / caisse : NI-780S-4L
Package d'appareils du fournisseur : NI-780S-4L
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour A2G26H281-04SR3
Feuilles de données : A2G26H281-04SR3.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 14KV SCREW. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 12KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 6000PF 20KV SCREW. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 14KV SCREW. | ||
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