FDMS86101 - MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56

Référence fabricant

FDMS86101

Numéro de pièce interne

AX-FDMS86101

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDMS86101

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDMS86101

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12.4A (Ta), 60A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta), 104W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-PQFN (5x6)

Paquet / caisse : 8-PowerTDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDM , FDMS

Documents pour FDMS86101

Feuilles de données : FDMS86101.pdf

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