BUZ32 H - MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3

Référence fabricant
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Brève description
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
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Spécifications pour BUZ32 H

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BUZ32 H
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Séries : SIPMOS®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 530pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 75W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220-3
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
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Feuilles de données : BUZ32 H.pdf

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