SIDC09D60E6YX1SA1 - DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
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DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SIDC09D60E6YX1SA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SIDC09D60E6YX1SA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
Séries : -
Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 20A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.7V @ 20A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 150ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 27µA @ 600V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : Die
Package d'appareils du fournisseur : Sawn on foil
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SIDC09D60E6YX1SA1
Feuilles de données : SIDC09D60E6YX1SA1.pdf
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