RK7002BMHZGT116 - 2.5V DRIVE NCH MOSFET
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2.5V DRIVE NCH MOSFET
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour RK7002BMHZGT116
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RK7002BMHZGT116
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : 2.5V DRIVE NCH MOSFET
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 250mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 15pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 350mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SST3
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour RK7002BMHZGT116
Feuilles de données : RK7002BMHZGT116.pdf
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