SCT3022KLGC11 - SCT3022KL IS AN SIC SILICON CAR

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SCT3022KL IS AN SIC SILICON CAR
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SCT3022KLGC11

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SCT3022KLGC11
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : SCT3022KL IS AN SIC SILICON CAR
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) : 1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 95A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28.6 mOhm @ 36A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.6V @ 18.2mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 178nC @ 10V
Vgs (Max) : +22V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2879pF @ 800V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 427W
Température de fonctionnement : 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-247N
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SCT3 , SCT302

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Feuilles de données : SCT3022KLGC11.pdf

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