MTY100N10E - MOSFET N-CH 100V 100A TO-264

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MOSFET N-CH 100V 100A TO-264
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Spécifications pour MTY100N10E

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MTY100N10E
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 100V 100A TO-264
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 378nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 10640pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 300W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-264
Paquet / caisse : TO-264-3, TO-264AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : MTY , MTY10

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Feuilles de données : MTY100N10E.pdf

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