IPLU300N04S4R7XTMA2 - MOSFET N-CH 8HSOF

Référence fabricant

IPLU300N04S4R7XTMA2

Numéro de pièce interne

AX-IPLU300N04S4R7XTMA2

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 8HSOF

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

22617 Pieces

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Spécifications pour IPLU300N04S4R7XTMA2

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPLU300N04S4R7XTMA2

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 8HSOF

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 40V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 300A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.76 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 230µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 287nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 22945pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 429W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-HSOF-8-1

Paquet / caisse : 8-PowerSFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPLU30 , IPLU300N0

Documents pour IPLU300N04S4R7XTMA2

Feuilles de données : IPLU300N04S4R7XTMA2.pdf

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