NVMFD5483NLWFT3G - MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
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Brève description
MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NVMFD5483NLWFT3G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
NVMFD5483NLWFT3G
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
Séries :
-
Statut de la pièce :
Not For New Designs
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
6.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
23.4nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
668pF @ 25V
Puissance - Max :
3.1W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur :
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour NVMFD5483NLWFT3G
Feuilles de données :
NVMFD5483NLWFT3G.pdf
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