W979H2KBVX2I - IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-W979H2KBVX2I
Fabricant
Brève description
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
99595 Pieces
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Spécifications pour W979H2KBVX2I
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
W979H2KBVX2I
Fabricant :
Winbond Electronics
La description :
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de mémoire :
Volatile
Format de mémoire :
DRAM
La technologie :
SDRAM - Mobile LPDDR2
Taille mémoire :
512Mb (16M x 32)
Fréquence d'horloge :
400MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
15ns
Temps d'accès :
-
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
1.14V ~ 1.95V
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
134-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur :
134-VFBGA (10x11.5)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour W979H2KBVX2I
Feuilles de données :
W979H2KBVX2I.pdf
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 16KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 16KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 100PF 16KV DISK. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 1000PF 40KV AXIAL. |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 16KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 16KV SCREW. |
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