BSS192PE6327 - MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89

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MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
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Spécifications pour BSS192PE6327

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSS192PE6327
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
Séries : SIPMOS®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 190mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 130µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6.1nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 104pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-SOT89
Paquet / caisse : TO-243AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BSS1 , BSS192

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Feuilles de données : BSS192PE6327.pdf

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