DD800S33K2CNOSA1 - IGBT MODULE VCES 1700V 800A
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Brève description
IGBT MODULE VCES 1700V 800A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DD800S33K2CNOSA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DD800S33K2CNOSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : IGBT MODULE VCES 1700V 800A
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Configuration de la diode : 2 Independent
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 3300V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) : -
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 3.5V @ 800A
La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : -
Courant - Fuite inverse @ Vr : 1100A @ 1800V
Température de fonctionnement - Jonction : -40°C ~ 125°C
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : Module
Package d'appareils du fournisseur : A-IHV130-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour DD800S33K2CNOSA1
Feuilles de données : DD800S33K2CNOSA1.pdf
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