SI1002R-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A

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MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
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Spécifications pour SI1002R-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI1002R-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 610mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 560 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 36pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 220mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SC-75A
Paquet / caisse : SC-75A
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SI10 , SI1002R

Documents pour SI1002R-T1-GE3

Feuilles de données : SI1002R-T1-GE3.pdf

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